一种基于肖特基二极管的单片集成560GHz混频器的设计
更新日期:2020-04-14     来源:物理学报   作者:翁祎  浏览次数:124
核心提示:《一种基于肖特基二极管的单片集成560GHz混频器的设计》为作者:翁祎最新的研究成果,本论文的主要观点为本文介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的

《一种基于肖特基二极管的单片集成560GHz混频器的设计》为作者:翁祎最新的研究成果,本论文的主要观点为本文介绍了一款基于InP材料的肖特基二极管的单片集成混频器,其工作频率为560GHz。本设计采用了一种新型薄膜混合传输结构,基于该聚合物材料无源结构的传输损耗降至14。4-15。5Np/m。相比于基于传统石英介质基片和半导体介质基片的传输线,传输损耗降低了一半以上。同时为了降低高频损耗,提高电路效率,二极管需采用亚微米结构,结半径为0。5um,结电容为1。5fF。由于无源结构和有源结构的损耗均得到优化使得该倍频器在540-580GHz的工作频带内,变频损耗优于-8dB,回波损耗优于10dB。并且无源结构中介质介电常数的减小,增大了电路物理尺寸,降低了腔体加工的工艺难度,使得今后大于1THz太赫兹信号低损耗平面传输成为可能。不知是否符合录用要求,望您批评与指正。